股票账户开户 台积电看家技术持续外流：2nm、1.6nm工艺将赴美生产

快科技 8 月 3 日消息，作为当前全球最先进的芯片生产企业，台积电成为半导体竞争的核心，原本台积电计划把尖端工艺留在本土生产，但是这两年形势变化很大股票账户开户，被当作杀手锏的 2nm 及 1.6nm 工艺也要转向美国生产。

随着全球半导体格局转变，原本无意在美国建厂的台积电在 2020 年首次宣布赴美生产，在美国亚利桑那州建设了第一座晶圆厂，工艺水平在 4nm 级别，目前已经投产，AMD 等多家客户表态要使用美国工厂生产。

相比本土生产，台积电美国工厂的成本会更高，AMD CEO 苏姿丰最近提到成本会高出 5% 到 20% 左右。

台积电第一座美国晶圆厂的工艺跟当前的工艺水平相差 1-2 代，但是随着后续的发展，台积电也在把最先进的工艺转移到美国生产，第二座晶圆厂将生产 3nm 工艺，之前计划于 2026 年开始量产，现在已经推迟到了 2028 年。

后续的建厂计划也不会止步于此，2028 年还会再建第三座晶圆厂 F21 P3，同时还会有配套的先进封装工厂，使用 SoIC 及 CoPos 封装技术，当前台积电在美国生产的先进工艺芯片还需要运回本土封装，等配套工厂完工后可以在美国工厂实现生产封装一条龙。

第三座工厂的工艺也会大幅升级到 2nm（N2）及 A16，后者就是之前 1.6nm 工艺的正式名称，工艺水平跟台积电本土趋于一致，意味着核心技术也不得不外流到美国。

未来还有第四座晶圆厂，初期工艺跟 P3 工厂一致，但保留后期升级的可能，意味着有比 A16 更先进的工艺在美国生产，很大可能就是再下一代的 A14 工艺，等效 1.4nm 级别的。

官网信息显示，与台积电领先业界的 N2 制程相比，A14 将在相同功耗下，提升达 15% 的速度；或在相同速度下，降低达 30% 的功率，同时逻辑密度增加超过 20%。

至于 A16 工艺，相较于台积电公司的 N2P 制程，A16 在相同 Vdd（工作电压）下，速度增快 8-10%，在相同速度下，功耗降低 15-20%，晶片密度提升高达 1.10 倍，特别适用于具有复杂讯号线路和高密度供电线路的高性能计算（High-Performance Computing，HPC）产品。

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